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Hyunjung HWANG
Semiconductor and Display
Researcher at RAAAM Memory Technologies
안녕하세요, 반도체/디스플레이 분야에서 KERC 서포터즈 2기로 활동하게 된 황현정입니다.
저는 스위스 취리히 공과대학교(ETH Zurich) 에서 전자전기공학과 석사과정을 마치고 로잔의 한 메모리 반도체 스타트업인 RAAAM Memory Technologies에서 엔지니어로 일하고 있습니다. 현재 회사에서는 기존의 SRAM 을 대체할 수 있는 3T-Gain Cell Embedded Memory 를 개발하고 있습니다. 다양한 sub-nm technology 에서의 메모리 상용화를 목표로 하고 있으며, 저는 특히 메모리의 성능의 핵심인 retention time test를 통해 메모리 설계를 진행하는 일을 맡고 있습니다. 또한 메모리 macro의 timing characterization 의 자동화를 구현해 설계 업무를 원활히 하고 있습니다.
메모리 반도체는 우리가 만날 수 있는 거의 모든 전자기기에 포함되는 만큼 매우 중요한 부품입니다. 기존의 캐시 메모리를 담당하는 SRAM의 경우 소자의 크기가 줄어듬에 따라 누설 전류(Leakage current), 전력 소모 등 여러 가지 문제점이 발견되고 있습니다. 또한 SRAM의 구조는 6개의 트랜지스터를 필요로 하므로 sizing을 줄이는 데에 한계가 있습니다. 저희 회사에서 연구/개발 중인 기술로 이런 한계점을 극복한다면 메모리 반도체 업계에서의 큰 발전이 있을 것이라 기대합니다. 스위스는 전도 유망한 스타트업을 대상으로 지원을 아끼지 않고 있습니다. 이러한 환경에서 제가 가진 경험을 통해 한국의 동종업계 연구자 분들께도 도움이 되었으면 좋겠습니다.
저는 스위스 취리히 공과대학교(ETH Zurich) 에서 전자전기공학과 석사과정을 마치고 로잔의 한 메모리 반도체 스타트업인 RAAAM Memory Technologies에서 엔지니어로 일하고 있습니다. 현재 회사에서는 기존의 SRAM 을 대체할 수 있는 3T-Gain Cell Embedded Memory 를 개발하고 있습니다. 다양한 sub-nm technology 에서의 메모리 상용화를 목표로 하고 있으며, 저는 특히 메모리의 성능의 핵심인 retention time test를 통해 메모리 설계를 진행하는 일을 맡고 있습니다. 또한 메모리 macro의 timing characterization 의 자동화를 구현해 설계 업무를 원활히 하고 있습니다.
메모리 반도체는 우리가 만날 수 있는 거의 모든 전자기기에 포함되는 만큼 매우 중요한 부품입니다. 기존의 캐시 메모리를 담당하는 SRAM의 경우 소자의 크기가 줄어듬에 따라 누설 전류(Leakage current), 전력 소모 등 여러 가지 문제점이 발견되고 있습니다. 또한 SRAM의 구조는 6개의 트랜지스터를 필요로 하므로 sizing을 줄이는 데에 한계가 있습니다. 저희 회사에서 연구/개발 중인 기술로 이런 한계점을 극복한다면 메모리 반도체 업계에서의 큰 발전이 있을 것이라 기대합니다. 스위스는 전도 유망한 스타트업을 대상으로 지원을 아끼지 않고 있습니다. 이러한 환경에서 제가 가진 경험을 통해 한국의 동종업계 연구자 분들께도 도움이 되었으면 좋겠습니다.
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